磁感应克特接近开关SAT10-12GM-N1（霍尔传感器）

磁感应克特接近开关SAT10-12GM-N1（霍尔传感器）

磁感应克特接近开关SAT10-12GM-N1（霍尔传感器）是利用磁场信号来控制的种开关元件，无磁断开，可以用来检测电路或机械运动的状态就是通过磁铁来感应的开关　。磁性开关是用来检测气缸活塞位置的、即检测活塞运动行程的，它可以分为接点型和无接点型两种。磁感应克特接近开关SAT10-12GM-N1（霍尔传感器）是霍尔元件与电子线路体化的产品，它是由霍尔元件、放大器、温度补偿电路和稳压电路利用集成电路工艺技术制成的。它能感知切与磁有关的物理量，又能输出相关的电控信息，所以霍尔集成电路既是种集成电路，又是种磁敏传感器SAT10-4MM-H1,SAT10-5GM-H1,SBT10-8GM-N1,SBT10-8GM-P1,SBT10-8GM-H1,SBT10-8GM-A1,SAT10-12GM-N1,SAT10-12GM-P1,SAT10-12GM-H1,SAT10-12GM-A1,SKG10-12GM-N1,SKT10-12GM-P1,SKG10-12GM-H1,SKC10-12GM-A1,SAT10-12GM-N1,SAG10-12GM-P1,SAT10-12GM-H1,SAT10-12GM-A1,SD-1-N1,SK-1-P1,SD-2-N1,SD-2-P1,D-C73,D-A73,CS1-J,D-B54,FC-1,FC-2,FC-2,SR-401,CS4H,MS-1,MS-2,MS-3,MS-4,MS-5,MS-6,MS-7,SD-3,SD-4,SD-5,D-Z73,SG-1,SG-2,YG-1,YG-2,LJC1-24电路的原理 当将块通电的半导体薄片垂直置于磁场中时，薄片两侧由此会产生电位差，此现象称为霍尔效应。此电位差称为霍尔电势，电势的大小E=KIB/d，式中K是霍尔系数，d为薄片的厚度，I为电流，B为磁感应强度。图1示出霍尔效应的原理：在三维空间内，霍尔半导体平板在XOY平面内，它与磁场方向垂直，磁场指向Y轴的方向，沿X轴方向通以电流I，由于运动的电荷与磁场的相互作用，结果在Z轴方向上产生了霍尔电势E，般其值可达几十毫伏。为此，将霍尔元件与电子线路集成在块约2mm*2mm的硅基片上，就做成了温度稳定性好、可靠性的霍尔集成电路。

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产品特点：接近开关

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