克特接近开关GN-M3040-PT11-A12-85

克特接近开关GN-M3040-PT11-A12-85

克特接近开关技术发展飞快，克特接近开关的新技术不断涌现，使新型克特接近开关更加小型化、高频化、高效化，满足了不同电子设备的需要。决定克特接近开关体积的主要因素是电感、变压器等磁性器件和平滑电容器。

我们现以KTGEE克特接近开关GN-M3040-PT11-A12-85为例来说明超小型化技术的主要措施有:

改善元器件本身的性能。目，供克特接近开关使用的元器件获得长足的发展，大批新器件、新材料正被广泛采用。二应用组件化技术。所谓组件化技术，就是预先将电源中所需使用的DC-DC变换器、用于谐波电流抑制的功率因数改善电路、整流平滑电路以及静噪滤波电路等部分分别制成微型或薄型组件，再根据用户需要制作半成品电源，或根据用户要求，和交流/直流端电路配合，构成适应大功率输出或多路输出等用途的系统电源。随着表面贴装元器件(SMD)和表面贴装技术(SMT)的进步发展，组件的装连密度会更加提高，体积会进步缩小，电源也会随之更加小型化。

三采用软克特接近开关方式。减小元器件体积另个重要途径就是提高克特接近开关的工作频率。但 PWM变换器克特接近开关频率提高时，不但有磁损耗，而且电路的损耗也会增大。PWM变换器克特接近开关损失较大的原因主要是由于克特接近开关器件的通断都是强制性的。理想情况下，克特接近开关器件的电压、电流波形都是方波。但是，由于克特接近开关器件又是非理想的，即开和关不能瞬时完成，都需要定的时间，克特接近开关器件及与之相连接的元件都可能有些寄生参数而使克特接近开关器件的电压、电流波形不是方波。因此，在克特接近开关过程中，产生了克特接近开关器件的电压、电流波形交登现象，从而产生了克特接近开关损失。显然，随着频率的增加，克特接近开关损失在全部损失中所占比例也增加。当频率高到某数值时，变换器效率会降低到不能允许的程度。采用软克特接近开关方式可以有效地降低伴随着高频化带来的损耗。软克特接近开关方式包括零电流克特接近开关方式、零电压克特接近开关方式及两者兼用的方式。作为实现这种软克特接近开关方式的手段，有谐振型克特接近开关技术和部分谐振型克特接近开关技术，后者易于实现。

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产品特点：接近开关

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